STS4DNFS30

STS4DNFS30是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心架构优化了单元密度和沟道设计，在紧凑的封装内实现了优异的电流处理能力和热性能，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C壳温条件下连续漏极电流（Id）可达4.5A，适用于中低电压、中等电流的应用环境。其导通电阻（Rds(on)）表现突出，在10V栅极驱动电压（Vgs）和2A漏极电流条件下，典型值仅为55毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为4.7nC @ 5V，结合330pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量小，能够实现快速的开关切换，有效减少开关损耗，尤其适合高频开关应用。

在接口与参数方面，STS4DNFS30采用标准的8引脚SO封装，便于表面贴装（SMT）生产。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，具备良好的逻辑电平兼容性，可与常见的5V或3.3V微控制器输出直接或通过简单电路接口。器件集成了隔离式肖特基二极管，为感性负载提供了快速续流路径，增强了应用的可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为2W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和供应保障。

基于其性能参数，STS4DNFS30非常适合用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池供电设备的电源路径管理，以及各类低电压工业控制系统中的功率开关单元。其快速开关和低导通损耗的特性，使其在提升能效和功率密度方面具有显著优势。

• 型号:STS4DNFS30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.7 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 想获取STS4DNFS30的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STS4DNFS30是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在30V漏源电压和4.5A连续电流能力下，实现了低至55毫欧（@10V Vgs, 2A Id）的导通电阻以及仅4.7nC的低栅极电荷。

这些参数共同确保了器件在导通和开关状态下的损耗均保持在较低水平，特别适用于对效率有较高要求的功率开关应用。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）与集成的肖特基二极管进一步增强了其在各种环境下的应用可靠性和设计便利性。