STP60N3LH5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP60N3LH5是一款基于N沟道技术的功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET V产品系列。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心设计通过精细的单元结构和沟槽栅技术，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了稳健的栅极控制特性，为高效率的功率转换和管理提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和24A漏极电流条件下，典型值仅为8.4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。其栅极电荷（Qg）和输入电容（C_iss）经过优化，分别低至8.8nC（@5V）和1350pF（@25V），这使得开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准逻辑电平（5V）即可实现高效驱动，而最大栅源电压（V_GS）可达±20V，提供了良好的抗干扰能力。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

在电气参数方面，STP60N3LH5具备30V的漏源击穿电压（V_{DSS）和高达48A（壳温25°C时）的连续漏极电流能力，展现了其处理可观功率的能力。其阈值电压（VGS(th)）最大值为3V，确保了与常见控制器的良好兼容性。该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，最大功耗为60W（壳温条件下）。其结温工作范围宽达-55°C至175°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。}

凭借其优异的性能组合，STP60N3LH5非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括低压大电流的DC-DC转换器（如同步整流、降压或升压拓扑）、电机驱动与控制（如电动工具、风扇驱动）、电源管理模块以及电池保护电路等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标对于理解同类低压大电流MOSFET的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP60N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 48A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP60N3LH5是意法半导体STripFET V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值8.4mΩ @ 10V, 24A）与优化的开关特性（栅极电荷仅8.8nC），旨在最大限度地降低传导与开关损耗，提升系统效率。

该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流高达48A（Tc=25°C），并支持5V逻辑电平驱动，兼容性良好。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，适用于需要高效功率处理的各种应用。