SPT01-335DEE

SPT01-335DEE是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SPT系列瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的齐纳二极管技术，专为在严苛环境下保护敏感的电子电路免受电压瞬变和静电放电（ESD）的损害而设计。该器件采用紧凑的6-VQFN封装，集成了三个独立的单向保护通道，为多线路应用提供了高集成度的解决方案。

其核心架构基于优化的半导体工艺，能够在极短时间内响应过压事件。当线路电压超过其33V的反向断态电压时，器件迅速进入低阻抗状态，将瞬态能量旁路至地，并将箝位电压有效限制在46V以下，从而保护下游IC免受损坏。高达2A（8/20s波形）的峰值脉冲电流处理能力和100W的峰值脉冲功率，使其能够承受工业环境中常见的浪涌冲击。其单向通道特性使其特别适用于直流电源线路或具有明确极性信号线的保护。

在接口与参数方面，该器件展现出卓越的稳健性。其击穿电压最小值为38V，在33V至38V之间提供了一个可靠的工作缓冲区。表面贴装（SMT）的安装方式与6-VQFN封装，非常适合高密度PCB布局。宽广的工作结温范围（-40°C至175°C）确保了其在汽车、工业等极端温度环境下的可靠运行。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以保障产品来源的正规性与供应链的稳定性。

该芯片的通用型设计使其应用场景非常广泛。它常被部署在通信端口（如RS-232/485）、数据线（USB、CAN总线）、传感器接口及低压直流电源输入端，作为防止雷击感应浪涌、感性负载切换噪声以及人体模型（HBM）ESD事件的第一道防线。其高可靠性和小尺寸特性，使其成为空间受限且对系统可靠性要求极高的汽车电子、工业自动化控制、消费电子及便携式设备中不可或缺的保护元件。

• 型号:SPT01-335DEE
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:6+3-QFN（3x3）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 33VWM 46VC 6+3QFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:齐纳
• 单向通道:3
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:33V
• 电压 - 击穿（最小值）:38V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:46V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:100W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-VQFN 焊盘
• 供应商器件封装:6+3-QFN（3x3）
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SPT01-335DEE是ST意法半导体推出的一款采用6-VQFN封装的表面贴装TVS二极管。该器件集成了三个单向保护通道，为核心电压为33V的线路提供高效的瞬态过压保护。

其关键特性包括最小38V的击穿电压、最大46V的箝位电压，以及能够处理2A（8/20s）峰值脉冲电流和100W峰值脉冲功率的强劲浪涌保护能力。结合其-40°C至175°C的宽工作结温范围，该器件为通用型应用提供了高可靠性、高集成度的电路保护解决方案。