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| ST2H8N120K5AG的报价和技术资料 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商 |
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ST2H8N120K5AG

ST图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：AUTOMOTIVE GRADE N CHANNEL 1200V
原厂封装：封装:H2PAK-2
优势价格，ST2H8N120K5AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ST2H8N120K5AG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 型号:ST2H8N120K5AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:H2PAK-2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:AUTOMOTIVE GRADE N CHANNEL 1200V
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.2 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:455 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:165W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:H2PAK-2
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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