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ST631K

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 120V 1A SOT-32-3
原厂封装:封装:SOT-32-3
优势价格,ST631K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ST631K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST631K是ST意法半导体推出的一款高压PNP型双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-225AA(TO-126-3)通孔封装。该器件设计用于处理高达120V的集电极-发射极电压(VCEO)和1A的连续集电极电流,其核心架构基于成熟的硅基工艺,确保了在高压开关和线性放大应用中的稳定性和可靠性。其内部结构优化了载流子传输效率,使得在中等电流下仍能保持良好的饱和特性。

该晶体管的一个关键特性是其出色的高压处理能力,结合1A的集电极电流容量,使其适用于需要一定功率驱动的场合。其VCE(sat)饱和压降在500mA电流下典型值仅为500mV,这意味着在开关状态下导通损耗较低,有助于提升系统整体效率。同时,器件在100mA、5V条件下的直流电流增益(hFE)最小值为120,提供了良好的电流放大能力,使其在模拟电路中作为驱动或放大级时具备优秀的线性度。高达150°C的结温(TJ)工作范围和12.5W的最大功耗能力,进一步体现了其坚固的鲁棒性和热稳定性。

在电气参数方面,除了上述的电压、电流和增益指标,其集电极截止电流(ICBO)最大值被严格控制在1A,这有助于降低器件的静态功耗,特别是在待机或关断状态。其通孔安装方式便于在原型开发或需要高可靠机械连接的工业板卡上进行焊接。对于需要稳定供货和深度技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询,以获取原厂品质的器件及相关应用指导。

基于其性能参数,ST631K非常适合应用于各类离线式电源的辅助电源开关、电机驱动电路中的预驱动级、电子镇流器以及音频设备的功率输出缓冲级。其高压特性使其能在AC-DC转换的初级侧或高压总线开关中发挥作用,而良好的线性增益也支持其在模拟信号调理或低压差线性稳压器(LDO)的调整管角色。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计在诸多现有和遗留系统中仍被广泛采用,是工程师在维护或设计高压、中功率PNP电路时一个经过验证的经典选择。

  • 型号:ST631K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 120V 1A SOT-32-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):120 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1A(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大值:12.5 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32-3
  • 想获取ST631K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ST631K是ST意法半导体生产的一款高压PNP双极性晶体管,采用TO-126-3(TO-225AA)通孔封装。其核心电气特性包括高达120V的集电极-发射极击穿电压和1A的连续集电极电流处理能力,适用于中功率开关与放大应用。

该器件在500mA电流下饱和压降仅为500mV,有效降低了导通损耗。其直流电流增益(hFE)在100mA、5V条件下最小为120,提供了良好的线性放大性能。最大功耗12.5W和150°C的结温工作范围确保了其在苛刻环境下的可靠运行。

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