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STAC3933

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:RF MOSFET 100V STAC177B
原厂封装:封装:STAC177B
优势价格,STAC3933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STAC3933的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STAC3933是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能射频功率晶体管,采用先进的N通道技术,专为高功率、高频率的射频放大应用而设计。该器件基于成熟的STAC177B封装,集成了优化的热管理和电气隔离设计,确保了在高功率输出下的长期可靠性和稳定性。其核心架构针对宽带放大进行了优化,能够在较宽的频率范围内保持优异的线性度和效率,内部匹配网络经过精心调校,旨在简化外部电路设计并提升系统整体性能。

该芯片在功能上表现出色,其工作频率覆盖至30MHz,适用于HF、VHF及部分UHF频段。高达350W的饱和输出功率29dB的功率增益是其显著的技术亮点,这使得它能够在驱动级或末级放大中提供充沛的信号能量。器件在100V测试电压和250mA测试电流条件下表现出稳定的特性,其额定工作电压高达250V,额定电流为20A,展现了强大的功率处理能力。这种高耐压和大电流特性,结合低热阻的封装,使其能够承受严苛的连续波(CW)或脉冲工作模式,非常适合需要高可靠性的专业射频系统。

在接口与参数方面,STAC3933采用标准的STAC177B封装,该封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于安装在散热器上以实现高效的热管理。其电气参数经过严格测试,确保了批次间的一致性。对于系统设计者而言,通过正规的ST代理商获取该器件,不仅能保证原厂正品品质,还能获得完整的技术资料和设计支持,包括详细的S参数、负载牵引数据以及应用电路参考,这对于优化功率放大器的效率、线性度和输出匹配至关重要。

得益于其高功率、高增益和宽频带特性,STAC3933非常适合应用于对输出功率和可靠性要求极高的领域。典型的应用场景包括工业加热、等离子体生成、广播发射机、业余无线电基站以及医疗设备中的射频能量源。在这些应用中,器件需要长时间稳定工作于高功率状态,STAC3933凭借其稳健的设计和优异的参数,能够有效满足系统对功率放大模块的核心需求,是构建高性能、高稳定性射频功率放大链路的理想选择。

  • 型号:STAC3933
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:STAC177B
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET 100V STAC177B
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 通道
  • 频率:30MHz
  • 增益:29dB
  • 电压 - 测试:100 V
  • 额定电流(安培):20A
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:250 mA
  • 功率 - 输出:350W
  • 电压 - 额定:250 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:STAC177B
  • 供应商器件封装:STAC177B
  • 想获取STAC3933的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STAC3933是意法半导体生产的一款N通道射频功率晶体管,采用STAC177B封装。该器件核心卖点在于其强大的功率处理能力,能够提供高达350W的输出功率和29dB的功率增益,工作频率可达30MHz。

其高额定电压(250V)和额定电流(20A)的设计,确保了在严苛的射频放大应用中的稳定性和可靠性。该晶体管专为需要高功率、高效率的宽带射频放大系统而优化,是工业、广播及专业通信领域功率放大级的理想解决方案。

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