STB100N6F7

STB100N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构和沟槽栅技术，在硅片层面实现了卓越的功率密度与电气性能平衡。其核心设计旨在最大限度地降低导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G），这两个关键参数直接决定了开关损耗和导通损耗，对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达100A的连续漏极电流（I_D）承载能力，为中等电压、大电流应用提供了坚实的保障。其最突出的特性之一是在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值极低，仅为5.6毫欧（@50A），这意味着在导通状态下产生的功耗非常小，有助于减少热设计压力并提升能效。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在30nC（@10V），较低的栅极电荷使得开关速度更快，驱动电路的设计更为简单，能够有效降低开关过程中的动态损耗。

在接口与参数方面，器件采用坚固耐用的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于自动化生产。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其优异的性能组合，STB100N6F7非常适合于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常被用作同步整流器、电机驱动控制中的H桥或半桥开关、DC-DC转换器（尤其是降压和升降压拓扑）中的主开关管，以及各类电源管理模块和逆变器中的功率开关元件。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关特性能够显著降低系统损耗，提升功率转换效率，是实现紧凑、高效电源解决方案的理想选择。

• 型号:STB100N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB100N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，核心优势在于极低的导通损耗与出色的开关性能。

其关键电气参数包括60V的漏源电压（V_DSS）和100A（T_C）的连续漏极电流能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为5.6mΩ（@50A），同时栅极总电荷（Q_G）最大值低至30nC（@10V）。这一低R_DS(on)与低Q_G的组合，使其能够在大电流应用中有效降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。

器件采用D2PAK表面贴装封装，最大功耗为125W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，为设计高可靠性、高功率密度的电源转换和电机驱动解决方案提供了强有力的硬件支持。