STB100NF03L-03-1

STB100NF03L-03-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，专为高电流、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精细的沟槽栅极工艺，在保持快速开关特性的同时，实现了极低的功率损耗。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值极低，在50A电流条件下最大值仅为3.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。高达100A的连续漏极电流（T_C=25°C）和300W（T_C）的功率耗散能力，使其能够胜任严苛的功率处理任务。其栅源电压（V_GS）额定值为±16V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在电气参数方面，该MOSFET的漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于低压大电流场景。其阈值电压（V_GS(th)）特性确保了在逻辑电平驱动下的可靠导通与关断。尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，它凭借高电流能力、低导通电阻和出色的热性能，成为了许多经典设计的优选。对于仍需此型号进行维护或升级的客户，可以通过授权的ST一级代理渠道咨询库存或替代方案。

得益于其优异的性能组合，STB100NF03L-03-1非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、高性能计算机的VRM（电压调节模块）、电机驱动控制以及各类需要高效同步整流的开关电源（SMPS）次级侧。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）也保证了其在恶劣环境下的可靠性。

• 型号:STB100NF03L-03-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB100NF03L-03-1是ST意法半导体推出的一款采用I2PAK封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件设计用于处理高达100A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和50A I_D条件下最大值仅为3.2mΩ，能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

此外，其优化的栅极电荷（Q_g）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。30V的漏源电压（V_DSS）和高达300W的功率耗散能力，使其成为低压、大电流开关应用的理想选择，例如同步整流、电机控制和DC-DC功率转换模块。