STF24N60M2

STF24N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与快速开关特性的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元结构和工艺控制，显著降低了寄生电容和栅极电荷，从而提升了高频下的整体能效。这种架构使其特别适用于对开关损耗和导通损耗都有严苛要求的功率转换场景。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的保障。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、9A电流条件下典型值仅为190毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在极低水平。同时，最大栅极电荷（Qg）低至29nC，结合1060pF的输入电容（Ciss），确保了快速的栅极充放电过程，能有效降低开关过程中的损耗并提升系统的工作频率。其栅源电压（Vgs）支持±25V的宽范围，提供了良好的驱动灵活性及抗干扰能力。

在电气参数方面，STF24N60M2的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制特性。器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于在PCB上实现稳固的机械固定和高效的热管理，其最大功率耗散能力为30W（基于壳温）。宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）使其能够适应工业、汽车等恶劣环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STF24N60M2非常适合于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等应用领域。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，最终帮助设计者实现更紧凑、更高效的功率解决方案。

• 型号:STF24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF24N60M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧（@9A,10V），有助于降低导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg(max)=29nC）确保了快速的开关速度，从而有效控制开关损耗。器件采用TO-220FP通孔封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求高可靠性和高效率的工业级电源与电机驱动系统。