STB11NK40ZT4

STB11NK40ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直DMOS工艺制造，专为高效率、高可靠性的开关应用而设计。该器件采用D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具备出色的热性能和功率处理能力，其核心架构通过优化的单元密度和栅极设计，在高压条件下实现了导通电阻与栅极电荷之间的优异平衡，从而显著降低了开关损耗和传导损耗。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达400V，确保了在离线电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的稳定工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为9A，配合最大仅550毫欧的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为Vgs=10V， Id=4.5A），能够有效减少导通期间的功率耗散，提升整体能效。其栅极驱动特性同样出色，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅极电荷（Qg）在Vgs=10V时最大仅为32nC，这有助于简化驱动电路设计，并实现快速开关，减少开关过渡时间带来的损耗。

在接口与参数方面，该器件支持最大±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）在Vds=25V时最大为930pF，较低的电容值有利于高频开关操作。器件的最大功率耗散为110W（Tc），结合D2PAK封装优良的散热路径，使其能够承受较高的功率负荷。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关能力，STB11NK40ZT4非常适用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及不间断电源（UPS）系统等场景。在这些应用中，它能够帮助设计工程师实现更高的功率密度、更紧凑的解决方案以及更优的系统效率。

• 型号:STB11NK40ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB11NK40ZT4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于400V的高漏源电压（Vdss）与低至550毫欧（@10V， 4.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压开关应用中能有效降低传导损耗。

该器件在25°C壳温下额定连续漏极电流为9A，最大功率耗散达110W，具备强大的电流处理与散热能力。同时，其栅极电荷（Qg）最大仅为32nC，支持快速开关，有助于提升开关电源等应用的工作频率和效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在工业级环境下的稳定性和可靠性。