STW56N65DM2

STW56N65DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单颗TO-247封装内实现了650V的漏源击穿电压（Vdss）与低至65毫欧（典型值）的通态电阻（Rds(on)）的出色平衡。其核心在于DM2代超级结技术，通过精密的单元结构和电荷平衡原理，显著降低了单位面积的导通损耗和栅极电荷，从而在高压开关应用中兼顾了高效率与高可靠性。

该MOSFET的功能特性围绕降低开关损耗和提升易用性而设计。极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为88nC，配合10V的标准驱动电压，使得开关过程更为迅速，减少了开关瞬态的能量损失，有助于提升系统整体能效。同时，其高达48A的连续漏极电流（Id）承载能力和360W的最大功率耗散，确保了在严苛工况下的稳定输出。器件具备宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），并集成了坚固的体二极管，为硬开关和软开关拓扑提供了设计灵活性。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过授权的ST代理商获取该产品及其完整的技术支持。

在电气参数方面，STW56N65DM2在24A电流和10V栅极驱动下的导通电阻表现优异，其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于简化栅极驱动电路的设计。±25V的最大栅源电压为其驱动电路提供了充足的安全裕度。标准的TO-247通孔封装不仅提供了优异的散热路径，便于安装散热器，也使其能够兼容广泛的高功率应用场景。

凭借其高耐压、低导通电阻和高开关频率潜力的特点，STW56N65DM2非常适用于对效率和功率密度有较高要求的工业级电源转换系统。典型应用包括服务器和电信设备的开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及电机驱动和焊接设备的功率级。在这些场景中，它能够有效提升功率因数校正（PFC）、DC-DC变换及逆变等关键电路的性能，是实现紧凑、高效能电力电子设计的理想功率开关选择。

• 型号:STW56N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW56N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）额定值与低至65mΩ的导通电阻（Rds(on)）的卓越组合，这得益于先进的超级结技术，旨在最小化传导损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括48A的高连续漏极电流承载能力、仅88nC的低栅极电荷（Qg）以及高达360W的功率耗散能力。这些特性共同确保了器件在高压、大电流工况下，既能实现快速开关以降低动态损耗，又能保持出色的热性能和可靠性。它主要面向工业电源、能源转换及电机控制等要求高效率和鲁棒性的应用领域。