STB12NM60N-1

STB12NM60N-1是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其核心在于优化的单元结构和工艺，使得在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够有效控制寄生电容并提升开关性能，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值为10A，展现出较强的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、5A漏极电流的测试条件下，Rds(On)最大值仅为410毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30.5nC（@10V），结合960pF的输入电容（Ciss @50V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使其在较高频率下也能保持良好的开关特性。

在电气参数方面，器件栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，提供了较宽的安全工作裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V（@250A），确保了良好的噪声抑制能力和抗误触发特性。封装采用坚固的I2PAK通孔形式，这种封装具有良好的机械强度和散热性能，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达90W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应严苛的工业环境。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借600V的耐压等级和优化的动态参数，STB12NM60N-1非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及照明镇流器等应用场景。其性能特点使其成为追求高可靠性、高能效比的工业级和消费类电源产品的理想选择之一。

• 型号:STB12NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB12NM60N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件额定漏源电压（Vdss）为600V，在25°C壳温下可承受10A的连续漏极电流，采用I2PAK通孔封装。

其核心优势在于结合了高耐压与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为410毫欧（@5A），能显著降低功率传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30.5nC，有利于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，提升整体电源转换效率。这些特性使其适用于对效率和可靠性有较高要求的功率开关应用。