STB130N6F7

作为ST意法半导体STripFET F7系列中的一员，STB130N6F7是一款采用先进工艺技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用D2PAK封装，专为表面贴装应用而设计，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其优化的单元结构和沟槽栅技术，确保了在紧凑的封装内实现高电流处理能力和卓越的热性能，为高效率功率转换奠定了坚实基础。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和40A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在42nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得器件能够在高频开关应用中稳定工作。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，为48V及以下总线电压系统提供了充足的裕量。

在电气参数方面，STB130N6F7在壳温（Tc）条件下可支持高达80A的连续漏极电流，最大功耗为160W。其栅源电压（Vgs）范围宽至±20V，增强了驱动灵活性。器件的阈值电压（Vgs(th)）设计合理，有助于防止误触发，提升系统可靠性。其工作结温范围极宽，从-55°C到175°C，使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取此产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通电阻和稳健的封装，该器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。它广泛应用于工业领域的电机驱动、伺服控制器和电源模块，以及汽车电子中的DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向（EPS）系统。在通信和服务器基础设施中，它也是构建高效同步整流和负载点（POL）转换器的理想选择，能够有效降低能源损耗，提升系统性能。

• 型号:STB130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB130N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（5mΩ @ 40A, 10V）与高电流处理能力（80A连续漏极电流），旨在最大限度地降低传导损耗，提升功率转换效率。

其电气规格包括60V的漏源电压额定值，以及优化的栅极电荷（42nC @ 10V），这有助于实现快速的开关速度和降低开关损耗。器件支持宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C），确保了在苛刻环境下的可靠运行。这些特性使其成为工业电机控制、汽车电源系统以及高效率DC-DC转换器等应用的理想功率开关解决方案。