STP9NK70ZFP

STP9NK70ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与高击穿电压（BV_DSS）之间的卓越平衡。其内部架构旨在最大限度地减少寄生电容，特别是栅极电荷（Q_g）和反向传输电容（C_rss），这对于提升开关速度、降低开关损耗至关重要，使其成为高效率开关电源设计的理想选择。

该MOSFET的核心优势在于其700V的高漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电网电压波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，提供充裕的安全裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、4A漏极电流条件下的导通电阻最大值仅为1.2欧姆，较低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其最大栅极电荷（Q_g）仅为68nC（@10V），这一特性显著降低了栅极驱动电路的负担，允许使用更简单、成本更低的驱动IC，并有助于实现更高的开关频率，从而缩小磁性元件的体积。

在电气参数与物理接口层面，STP9NK70ZFP在壳温（T_C）25°C下的连续漏极电流（I_D）额定值为7.5A，最大功耗为35W。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。器件采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种封装不仅提供了良好的机械强度和通孔安装便利性，其背面的金属片与内部芯片绝缘，方便安装散热器而不必担心电气短路问题，简化了热管理设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，该器件非常适合应用于对效率和可靠性有较高要求的离线式开关电源（SMPS）中，例如PC电源、适配器、电视机电源以及工业辅助电源。此外，它在电子镇流器、功率因数校正（PFC）电路、电机控制驱动以及不间断电源（UPS）的功率转换级中也能发挥出色性能。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行，是工程师构建高效、紧凑、鲁棒性强的功率电子系统的关键元件之一。

• 型号:STP9NK70ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STP9NK70ZFP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP9NK70ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括700V的漏源击穿电压（V_DSS）以及在壳温25°C下达7.5A的连续漏极电流（I_D）能力。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为1.2欧姆，有助于降低导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大值68nC）确保了快速的开关切换和较低的驱动损耗。器件采用TO-220FP绝缘封装，最大功耗为35W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计高可靠性、高效率的电源转换系统提供了坚实的基础。