STW8NK80Z

STW8NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和制造工艺，在硅片层面实现了优异的性能平衡。其核心设计旨在有效管理高电压下的电场分布，从而在维持高阻断电压能力的同时，显著降低单位面积的导通电阻。这种架构使得芯片能够在高压开关应用中实现更低的传导损耗和更高的效率，其TO-247-3封装也为高功率耗散提供了坚实的物理基础，确保器件在严苛工况下的长期可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力和浪涌，为设计提供了充裕的安全裕量。同时，得益于SuperMESH技术，它在高电压下依然保持了相对较低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动、3.1A漏极电流条件下典型值仅为1.5欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和发热。其栅极电荷（Qg）最大值控制在46nC，结合1320pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的驱动损耗较低，有助于提升高频开关电源的整体效率，并简化栅极驱动电路的设计。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持和供应链服务。

在电气参数方面，STW8NK80Z在壳温（Tc）条件下可支持6.2A的连续漏极电流，最大功耗高达140W，展现了强大的功率处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全范围。器件采用标准的10V驱动以获得最佳导通性能，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于各种环境温度下的稳定运行。通孔安装的TO-247-3封装不仅机械强度高，其出色的热性能也便于通过散热器将芯片产生的热量高效导出，是构建高可靠性功率系统的理想选择。

凭借高耐压、低导通电阻与开关损耗的良好结合，STW8NK80Z非常适合于对效率和可靠性有严苛要求的离线式开关电源（SMPS）应用，如服务器电源、通信电源和工业电源的功率因数校正（PFC）及主开关拓扑。此外，它在高压照明电子镇流器、电机驱动逆变器以及不同断电源（UPS）等需要高效能开关元件的场合中也能发挥关键作用，是实现紧凑、高效能功率转换设计的核心功率开关器件之一。

• 型号:STW8NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW8NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下6.2A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.5欧姆，同时栅极电荷（Qg）被优化至46nC。这一组合有效平衡了传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件支持高达140W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的高可靠性和稳定性。