STB13N60M2

作为ST意法半导体MDmesh II Plus产品家族中的一员，STB13N60M2是一款采用先进超结技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现高耐压与低导通损耗的优异平衡，通过优化的单元结构和外延层设计，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），从而提升了整体能效。该器件采用D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的热性能和功率处理能力，便于在紧凑的PCB布局中实现高效的散热管理。

该MOSFET的突出特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够稳定工作在高压大电流的苛刻环境中。其导通电阻在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为380毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，配合±25V的宽栅源电压（Vgs）范围，意味着它所需的驱动能量更低，开关速度更快，能够有效降低开关损耗并简化驱动电路的设计，尤其适合高频开关应用。

在电气参数方面，STB13N60M2展现了全面的可靠性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为580pF，较低的电容值有助于进一步提升开关性能。器件的最大功耗为110W（基于壳温Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严酷温度条件下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取原厂正品和全面的应用支持。

基于其高性能参数，STB13N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及照明系统的电子镇流器和LED驱动。其D2PAK封装兼容自动化贴片生产，适合大规模制造，是工程师设计下一代高效能、高功率密度电源解决方案的理想选择。

• 型号:STB13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），专为高压、高能效应用而设计。

其技术优势主要体现在极低的导通电阻（典型值380mΩ @ 10V, 5.5A）和较低的栅极电荷（最大值17nC @ 10V），这共同实现了更低的导通与开关损耗，从而提升系统整体效率。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和110W的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的可靠性与稳定性。