STB13NM60N

STB13NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，其核心在于通过创新的单元布局和加工工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构使得芯片在导通损耗和开关性能之间取得了出色的平衡，尤其适合在高频开关应用中提升整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）提供了坚固的耐压能力，适用于市电整流后高压母线环境。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简洁的驱动电路，从而实现更高频率的开关操作，这对于提升电源功率密度至关重要。

在接口与参数层面，STB13NM60N采用标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热能力和机械强度。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达11A，最大结温（T_J）为150°C，确保了在严苛环境下的可靠工作。栅极阈值电压（V_GS(th)）设计适中，并与±25V的最大栅源电压相结合，提供了良好的噪声抑制能力和驱动安全性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其高性能指标，STB13NM60N非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等新能源设备。其优异的性能使其成为工程师在设计下一代高效、紧凑型电源解决方案时的理想选择。

• 型号:STB13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB13NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_dss）和11A的连续漏极电流（I_d），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）表现突出，有助于降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g）与输入电容（C_iss）参数确保了更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其非常适用于高效率的电源转换和电机控制场景。