STD7N90K5

STD7N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极处理技术，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速响应与高可靠性。这种设计理念使得该MOSFET在苛刻的功率转换环境中能够保持稳定的性能表现。

该器件的功能特点突出体现在其900V的高漏源击穿电压（Vdss）与7A的连续漏极电流（Id）能力上，这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等高压场合的应力。得益于MDmesh K5技术的加持，其动态特性得到优化，开关过程中的能量损耗得以降低。其栅极驱动设计兼容性强，最大栅源电压（Vgs）为±30V，标准10V驱动即可实现低导通电阻，简化了外围驱动电路的设计。对于需要本地技术支持和供应链保障的客户，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料与供货信息。

在电气参数方面，STD7N90K5在25°C壳温（Tc）下的最大功率耗散为110W，展现了良好的散热潜力。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V @ 100A，提供了明确的导通门槛，有助于避免误触发。器件采用表面贴装型的DPAK封装，这种封装形式在功率密度和焊接工艺可靠性之间取得了良好折衷，适合自动化生产。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在严苛环境下的稳定运行，从寒冷的工业环境到高温的密闭设备内部都能胜任。

基于其高耐压、中等电流能力和优化的开关特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率转换模块。在这些应用场景中，它能够有效提升系统效率，减少散热需求，并凭借其高可靠性有助于延长终端产品的整体使用寿命。

• 型号:STD7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），专为要求高耐压和高效开关的应用而设计。

其技术亮点在于实现了高击穿电压与低导通损耗的良好平衡，最大栅源电压为±30V，标准10V驱动即可获得优异的导通性能。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功率耗散达110W（Tc），确保了在高压、高功率密度应用中的稳定性和可靠性，是工业电源和功率转换系统的理想选择。