STB140NF55T4

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一款高性能功率器件，STB140NF55T4采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件基于优化的单元设计和制造工艺，有效降低了栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rds(on)）之间的关键权衡，这对于提升功率转换效率至关重要。其沟槽栅结构增强了电流处理能力，同时确保了在高温环境下的稳定运行。

该MOSFET的功能特点突出表现在其卓越的电气参数上。它具备55V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达80A的连续漏极电流能力，为处理大功率应用提供了坚实的基础。更值得关注的是，其在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下的导通电阻典型值低至8毫欧，这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的传导损耗和发热量。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在142nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，而高达±20V的栅源电压（Vgs）容限则增强了系统的鲁棒性。

在接口与关键参数方面，STB140NF55T4采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合高达300W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应苛刻的环境。输入电容（Ciss）为5300pF，与较低的Qg参数协同，优化了开关速度。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的设计项目，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的有效途径。

基于其优异的性能组合，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、大电流电机驱动与控制系统（如电动工具、无人机）、以及汽车电子中的辅助驱动和电源管理模块。其在同步整流、负载开关和各类功率开关拓扑中都能显著提升系统整体能效与可靠性，是工程师设计高效、紧凑型功率解决方案的理想选择。

• 型号:STB140NF55T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB140NF55T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻与优化的开关特性平衡。

其关键参数包括55V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下80A的连续漏极电流（Id）处理能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至8毫欧（@40A），配合142nC的最大栅极电荷（Qg），共同确保了高效的电能转换与较低的功率损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其适用于环境要求严苛的应用。