STB141NF55-1

STB141NF55-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，专为需要高电流处理能力和低导通损耗的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，在55V的漏源电压（V_DSS）额定值下，实现了出色的电气性能。

该MOSFET在25°C壳温（T_C）下能够持续承受高达80A的漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其关键性能指标在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（V_GS）和40A电流条件下，R_{DS(on)最大值仅为8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。栅极电荷（Qg）典型值为142nC @ 10V，结合5300pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着在合理的栅极驱动设计下，可以实现快速的开关切换，从而降低开关损耗。其栅源电压（VGS）耐受范围为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度，而阈值电压（VGS(th)）最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。}

在热性能方面，器件在壳温条件下的最大功率耗散为300W，结合其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够适应严苛的热环境。其I2PAK封装提供了优异的散热路径，便于通过散热器进行热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和库存信息。

凭借其高电流、低导通电阻和稳健的封装特性，STB141NF55-1非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器中的主开关、电机驱动控制以及不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块。在这些领域，其优异的电气和热参数有助于构建更紧凑、更高效的功率解决方案。

• 型号:STB141NF55-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB141NF55-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其55V漏源电压（V_DSS）下高达80A的连续漏极电流处理能力，以及极低的导通电阻（R_DS(on)），典型值仅为8毫欧 @ 40A, 10V，这显著降低了功率损耗并提升了整体能效。

此外，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）参数经过优化，有利于实现快速的开关速度，从而减少开关损耗。器件支持±20V的宽栅源电压范围，并能在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，结合300W（T_C）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠性与耐用性。