STW19NM50N

STW19NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。这种架构通过降低单元密度和优化电荷分布，显著减少了开关过程中的能量损耗，使其在高频开关应用中表现出优异的效率。其核心设计旨在满足高电压、高效率功率转换的严苛要求，为系统设计者提供了一个可靠的高性能开关解决方案。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达500V，确保了在离线式电源、电机驱动等高压环境下的稳定工作与高可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为14A，具备较强的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻典型值极低，在10V栅极驱动电压、7A漏极电流条件下，最大值仅为250毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极总电荷（Q_G）最大值控制在34nC（@10V），结合约1000pF的输入电容（C_iss），意味着驱动电路所需提供的开关能量较小，有利于简化驱动设计并提升开关速度，从而降低开关损耗。

在接口与参数方面，STW19NM50N采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压范围宽，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（V_GS）可承受±25V，提供了良好的抗干扰能力。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，具备一定的噪声容限。器件的最大结温（T_J）为150°C，在壳温（T_C）条件下最大功耗为110W，展现了良好的热性能。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术资料、样品支持与供货信息。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STW19NM50N非常适用于要求严苛的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC主开关的理想选择，尤其适用于服务器电源、工业电源等高效能平台。此外，在电机驱动与控制领域，如变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）的逆变级中，该器件也能提供高效的功率开关解决方案。其设计平衡了性能与成本，在需要高能效和紧凑设计的应用中具有显著优势。

• 型号:STW19NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW19NM50N是意法半导体推出的一款采用MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-247-3。其核心卖点在于500V的高漏源电压（V_DSS）与14A（T_C=25°C）的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件在电气性能上实现了优化平衡，其导通电阻（R_DS(on)）在10V V_GS、7A I_D条件下最大值仅为250mΩ，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_G，最大值34nC @10V）和输入电容（C_iss）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为对能效和可靠性有高要求的功率转换应用的理想选择。