STD170N4F7AG

STD170N4F7AG是意法半导体（STMicroelectronics）面向严苛汽车电子应用推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET技术制造，这一技术通过优化单元结构和沟槽工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻和优异的开关性能，为高电流、高频率开关应用提供了坚实的物理基础。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力与极低的导通阻抗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达80A，充分满足大电流路径的需求。更为关键的是，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流的测试条件下，其导通电阻典型值仅为2.8毫欧。这一超低的Rds(on)值直接转化为更低的导通压降和更少的热量产生，对于减少功率损耗、简化散热设计具有重要意义。同时，其栅极电荷Qg最大值控制在63nC，有助于实现快速的开关切换，降低开关过程中的损耗。

在电气参数方面，该器件具备40V的漏源击穿电压，提供了足够的电压裕量以应对汽车电源系统中的瞬态电压波动。其栅源电压最大额定值为±20V，增强了驱动的鲁棒性。封装采用经典的表面贴装DPAK（TO-252）形式，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达172W。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，确保了在极端温度环境下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

基于其高电流、低阻抗、汽车级的可靠性，STD170N4F7AG非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流或主开关、以及负载开关与电源分配模块。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统设计和备件供应中，它依然是一个值得参考的高性能功率开关解决方案范例。

• 型号:STD170N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:172W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD170N4F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET技术，在DPAK封装内实现了优异的功率密度，其关键参数包括40V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流处理能力。

其核心优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs、40A Id条件下，导通电阻最大值仅为2.8毫欧。同时，63nC的最大栅极电荷有助于实现高效的开关性能。该器件设计工作于-55°C至175°C的宽结温范围，适用于要求高可靠性和高效率的汽车电子功率管理应用。