STF20N65M5

STF20N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh V系列N沟道功率MOSFET，采用先进的超结技术制造，旨在为高电压、高效率的功率转换应用提供卓越的性能。该器件采用TO-220FP封装，在通孔安装设计中提供了良好的散热能力，其结温最高可达150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET的核心优势在于其优化的动态特性与静态参数平衡。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和9A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为190毫欧，这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），结合1345pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关电源设计至关重要。

在电气参数上，该器件在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流额定值为18A，最大功耗为30W，为设计者提供了充足的功率处理余量。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，而栅源电压（Vgs）可承受±25V，这提供了良好的噪声免疫性和驱动灵活性，兼容多种控制器输出。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取正品器件和技术支持。

基于其高性能指标，STF20N65M5非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备。其高耐压、低导通电阻与快速开关特性的有机结合，使其成为工程师在开发下一代高效、紧凑型功率解决方案时的理想选择。

• 型号:STF20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF20N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心特性包括650V的高漏源电压（Vdss）和18A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键性能优势体现在极低的导通损耗和优异的开关特性上。在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为190毫欧，同时栅极电荷（Qg）被优化至45nC，这共同确保了在高频开关电源中实现高效率与低热耗散。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中提升能效和功率密度的可靠组件。