STH320N4F6-2

ST意法半导体推出的STH320N4F6-2是一款采用先进STripFET VI技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的深沟槽栅极（DeepGATE）架构，通过创新的单元结构设计，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的优异平衡。这种架构不仅显著降低了传导损耗，还通过优化内部电容特性有效改善了开关性能，使其在高频开关应用中能保持高效率与低发热。

该MOSFET具备40V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达200A的连续漏极电流（I_D）处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、80A电流条件下，R_DS(on)典型值仅为1.3毫欧。同时，其栅极总电荷（Q_g）被控制在240nC（@10V）以内，这有助于降低栅极驱动损耗并提升开关速度。器件支持±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度，其输入电容（C_iss）为13800pF，这些参数共同决定了其在开关电源拓扑中的动态响应特性。该产品符合AEC-Q101标准，属于汽车级产品系列，确保了在严苛环境下的高可靠性，其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，最大功耗为300W。采用表面贴装型HPAK封装，该封装具有良好的散热性能和功率处理能力，适合自动化生产。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购咨询。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和优化的开关特性，STH320N4F6-2非常适用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如电动助力转向、水泵、油泵）、DC-DC转换器（尤其是同步整流和负载点降压拓扑）以及工业电源和逆变器。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，减少散热设计压力，并满足汽车电子对可靠性和耐久性的严格要求。

• 型号:STH320N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
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STH320N4F6-2是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET VI和DeepGATE技术，在HPAK封装内实现了优异的性能平衡，其关键参数包括40V漏源电压、200A连续漏极电流以及低至1.3毫欧的导通电阻（@80A, 10V）。

其栅极电荷（Q_g）典型值为240nC，结合宽结温工作范围（-55°C至175°C），使其特别适合要求高效率、高可靠性和强大功率处理能力的应用。这些核心特性使其成为汽车电机驱动、高功率DC-DC转换及工业电源系统中同步整流和开关电路的理想选择。