STD5N52K3

STD5N52K3是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅极设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这种核心架构使其能够在高电压下维持稳定的性能，同时有效控制开关过程中的能量损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。525V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力和电压尖峰，提供了充裕的设计裕量。在导通特性方面，其在10V驱动电压、2.2A电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.5欧姆，这直接降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在17nC，结合545pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较低，能够实现快速开关，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STD5N52K3采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大可承受70W的功率。其连续漏极电流（Id）在Tc条件下额定为4.4A，栅源电压（Vgs）支持高达±30V的范围，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及全面的技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的综合优势，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的中功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动、工业电机控制以及家用电器中的逆变器模块。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STD5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及低至1.5欧姆的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电压应用中能显著降低导通损耗。

此外，该MOSFET具备4.4A的连续漏极电流能力和仅17nC的低栅极电荷（Qg），确保了高效的功率处理能力和快速的开关性能。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。这些参数特性使其成为开关电源、电机驱动和照明系统等中功率应用的高效、可靠之选。