STP9NK60ZD

STP9NK60ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperFREDmesh产品系列。该器件采用优化的垂直架构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于采用了ST专有的Mesh Overlay技术，通过精细的单元结构设计，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），从而提升了整体能效。这种架构确保了在高压开关应用中，器件能够承受600V的漏源电压（Vdss），同时将开关过程中的能量损耗控制在较低水平。

该MOSFET的功能特性围绕高效率与可靠性构建。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻仅为950毫欧（在3.5A条件下测量），这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在53nC，有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更快。器件具备±30V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围，为驱动电路提供了更高的设计裕度和抗干扰能力。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

在接口与关键参数方面，STP9NK60ZD采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达7A，最大功率耗散为125W（Tc），结合其低热阻封装，能够有效管理功率耗散。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动范畴，便于与常见的控制器接口。输入电容（Ciss）为1110pF，与其他参数共同决定了器件的动态开关性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和库存信息。

凭借600V的耐压能力和优异的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的离线式功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源部分。其稳健的设计使其成为中功率AC-DC转换和高压开关应用中一个值得考虑的高性能解决方案。

• 型号:STP9NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP9NK60ZD是ST意法半导体SuperFREDmesh系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与低至950毫欧（@10V， 3.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这有效降低了导通损耗，提升了系统能效。

其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。器件采用TO-220AB封装，在壳温25°C下可支持7A的连续漏极电流，最大耗散功率达125W，工作结温范围宽至-55°C至150°C，确保了在各类电源转换应用中的可靠性与耐用性。