STB3NK60ZT4

STB3NK60ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用其成熟的SuperMESH技术平台构建。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，专为在高压开关应用中实现高效率与高可靠性而设计。其核心架构基于优化的垂直沟槽工艺，旨在显著降低导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的乘积，这一关键指标直接关系到开关损耗与整体能效。

该器件具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为2.4A，结合最大仅3.6Ω的导通电阻（在1.2A，10V V_GS条件下），确保了在导通期间具有较低的传导损耗。其栅极驱动特性经过优化，最大栅源阈值电压（V_GS(th)）为4.5V，而驱动电压（V_GS）推荐值为10V，最大可承受±30V，这为栅极驱动电路的设计提供了充足的裕量和灵活性。

在动态性能方面，STB3NK60ZT4表现出色。其最大栅极电荷（Q_g）低至11.8nC（@10V），输入电容（C_iss）最大为311pF（@25V），这些低电荷参数直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件最大功耗为45W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方授权的ST一级代理进行采购，以保障原厂正品与技术支持。

综合其电气参数与封装特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及家用电器中的功率转换模块。其D2PAK封装提供了良好的功率处理能力和散热性能，便于在PCB上进行布局和热管理。尽管该产品状态标注为不适用于新设计，但其成熟的技术和可靠的性能使其在众多现有产品和维护项目中仍是高性价比的优选方案。

• 型号:STB3NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB3NK60ZT4是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于平衡了高压能力与开关性能，具备600V的漏源电压（V_dss）和2.4A的连续漏极电流（I_d）。

该器件通过优化的技术实现了较低的导通电阻（最大3.6Ω @ 1.2A, 10V）和栅极电荷（最大11.8nC @ 10V），这有助于降低导通与开关损耗，提升整体能效。其驱动电压为10V，栅源电压可承受±30V，提供了稳健的驱动接口。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和45W的功率耗散能力，确保了其在各种功率转换应用中的可靠性。