STB141NF55

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一款高性能功率器件，STB141NF55采用了先进的N沟道MOSFET技术。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为8毫欧（在40A条件下），这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。其栅极电荷（Qg）最大值控制在142nC，结合优化的内部结构，有助于降低开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。

该MOSFET的功能特点围绕其高电流处理能力和稳健性展开。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下高达80A，漏源电压（Vdss）为55V，为中等电压范围的应用提供了充足的裕量。高达300W（Tc）的功率耗散能力确保了器件在严苛热环境下的可靠性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较强的栅极驱动容错空间。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应工业、汽车等对温度要求严格的环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以咨询ST中国代理获取更详细的产品信息与本地化服务。

在接口与关键参数方面，STB141NF55采用标准的表面贴装D2PAK封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其输入电容（Ciss）最大值为5300pF，阈值电压（Vgs(th)）最大为4V，这些参数为驱动电路的设计提供了明确的依据。低导通电阻与适中栅极电荷的组合，使其成为需要在效率与开关速度之间取得平衡的设计的理想选择。

基于其技术特性，STB141NF55非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源模块。其稳健的性能和宽温工作能力，也使其能够满足汽车电子中某些辅助驱动模块的需求，是工程师构建高效、可靠功率系统的关键组件之一。

• 型号:STB141NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB141NF55是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（典型8mΩ @ 40A, 10V）与高达80A的连续漏极电流处理能力，旨在显著降低功率应用中的传导损耗。

其55V的漏源电压额定值和300W的功率耗散能力，确保了在中等电压、高电流场景下的可靠运行。优化的栅极电荷（最大142nC）有助于实现高效的开关性能，而-55°C至175°C的宽工作结温范围则赋予了其出色的环境适应性，适用于要求苛刻的工业与汽车电子领域。