STB15N65M5

STB15N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了优异的开关性能和雪崩耐量，为高效率、高可靠性的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性包括高达650V的漏源击穿电压（Vdss），确保了其在高压离线式应用中的稳定运行。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为340毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC，结合810pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升开关频率并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数方面，STB15N65M5在壳温（Tc）条件下可支持11A的连续漏极电流，最大功耗为85W。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了在噪声环境下的稳定关断。器件采用表面贴装型D2PAK封装，该封装具有良好的热性能和功率处理能力，便于在紧凑的PCB布局中实现高效的散热管理。其最高结温（TJ）可达150°C，拓宽了其在严苛环境下的应用范围。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关产品信息与设计资源。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，这款器件非常适合应用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）领域，例如服务器电源、工业电源、PC电源的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑。它也适用于照明领域的LED驱动电源、电机控制中的逆变器模块以及各类离线式功率转换装置。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在既有产品或特定备件需求中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STB15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:810 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB15N65M5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh V技术，封装为D2PAK。其核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了基础保障。

器件的关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）低至340毫欧（@5.5A, 10V），能有效降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值22nC @10V）和输入电容（Ciss，最大值810pF @100V）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为高效率开关电源设计的理想选择。