STB15NM60N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一员，STB15NM60N是一款采用先进平面工艺的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），显著提升了开关性能。该器件采用了D2PAK（TO-263）表面贴装封装，这种封装形式提供了良好的功率处理能力和散热特性，便于在紧凑的PCB布局中实现高效的热管理。

该MOSFET的突出特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够承受较高的功率等级。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、7A漏极电流条件下典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，提供了良好的噪声抑制能力和驱动简便性。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购咨询。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温下最大功耗为125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。±25V的最大栅源电压（Vgs）提供了较宽的驱动安全裕度。

凭借其高耐压、低导通电阻和优化的开关特性，STB15NM60N非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率开关应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主开关、照明镇流器、电机驱动控制以及不同断电源（UPS）系统中的功率转换部分。其表面贴装封装也适合自动化生产，有助于降低系统组装成本。

• 型号:STB15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB15NM60N是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的功率处理基础。

其技术优势体现在较低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），这共同作用以实现更低的导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持表面贴装，兼顾了高可靠性设计与现代生产的便利性。