STL140N6F7

STL140N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直栅极结构，结合了低栅极电荷与低导通电阻的特性，旨在实现高效率的功率转换。其核心架构通过精细的单元设计和先进的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了出色的开关性能，为高电流、高频率应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的低导通电阻，在10V驱动电压下，典型值仅为2.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在40nC，有助于降低开关损耗，并减轻驱动电路的负担，使得器件在高频开关电源设计中表现出色。此外，其高达175°C的结温（TJ）和125W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛热环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面，STL140N6F7具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达145A的连续漏极电流能力，为处理大功率负载提供了充足的裕量。其采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，底部裸露的焊盘便于将热量高效传导至PCB，从而优化系统的散热设计。其栅源电压（Vgs）支持±20V，提供了较强的抗干扰能力。

凭借其高性能参数，该器件非常适合应用于对效率和功率密度要求极高的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动中的H桥或三相逆变器、以及各类工业电源中的功率开关。其快速开关特性和高电流处理能力，也使其成为电动工具、电池管理系统（BMS）和汽车辅助系统中功率路径管理的理想选择。

• 型号:STL140N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):145A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL140N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的DeepGATE产品系列。该器件设计用于高效功率处理，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.5mΩ @ 10V）与优化的栅极电荷（最大值40nC），这共同实现了优异的传导与开关性能平衡，有助于提升整体系统效率。

该MOSFET额定参数为60V漏源电压和145A连续漏极电流，采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，确保了出色的电流承载能力和散热性能。其工作结温高达175°C，支持高功率密度应用设计，主要面向同步整流、电机驱动和工业电源开关等要求严苛的领域。