STF20N90K5

STF20N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计，其核心架构通过优化单元密度和栅极设计，在900V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的卓越平衡。这种平衡对于提升开关电源和电机驱动等系统的整体效率至关重要，因为它能同时降低导通损耗和开关损耗。

在功能特性方面，该器件在25°C壳温（Tc）条件下可提供高达20A的连续漏极电流（Id），其导通电阻在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为250毫欧。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力和稳定的驱动特性，而最大栅极电荷（Qg）低至40nC（@10V），显著降低了驱动电路的功率需求，有助于简化栅极驱动设计并提升开关频率。此外，器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的安全设计余量。

从接口与关键参数来看，STF20N90K5的输入电容（Ciss）在100V Vds下最大为1500pF，结合其低Qg特性，共同决定了其快速开关能力。其最大功率耗散为40W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。TO-220FP封装提供了通孔安装的便利性和良好的散热性能，适合需要高功率密度的应用场景。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过ST授权代理进行采购。

该MOSFET典型的应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、电机驱动与逆变器、UPS（不间断电源）系统以及照明镇流器等。其900V的高耐压特性使其能够从容应对交流输入整流后的高压母线，并提供足够的电压裕量以抑制开关过程中的电压尖峰，从而提升系统可靠性。在追求高能效和功率密度的现代电力电子设计中，STF20N90K5凭借MDmesh K5技术的优势，成为工程师实现高性能、高可靠性功率级设计的优选器件之一。

• 型号:STF20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF20N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括900V的漏源击穿电压（Vdss）和20A（Tc）的连续漏极电流能力，专为应对高压、大电流的严苛应用环境而设计。

其技术亮点在于实现了优异的动态性能与静态参数的平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为250毫欧（@10A），有效降低了导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至40nC（@10V），这有助于实现高速开关并降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高效能功率转换系统的理想选择。