STB160N75F3

STB160N75F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅极工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与出色的电荷平衡。这种架构有效降低了传导损耗和开关损耗，为高功率密度应用提供了坚实的物理基础，其沟道设计确保了在大电流条件下依然能保持稳定的电气特性。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能组合。75V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的安全工作余量，而在壳温（Tc）条件下高达120A的连续漏极电流能力则使其能够轻松应对严苛的大电流负载。最关键的特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、60A电流条件下典型值仅为4毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）被控制在85nC（@10V）的较低水平，配合±20V的宽栅源电压范围，有助于实现快速、干净的开关动作，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热能力和机械强度，适合自动化贴装生产。其最大功率耗散能力为330W（Tc），结合宽达-55°C至175°C的结温（TJ）工作范围，确保了其在恶劣环境下的可靠运行。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，在开关频率与电磁干扰（EMI）性能之间取得了良好平衡。对于需要稳定供货与技术支持的用户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借高电流处理能力、低导通损耗和稳健的封装，STB160N75F3非常适用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和初级侧开关、工业电源和电焊机中的功率开关，以及电机驱动、不间断电源（UPS）和电动工具中的功率控制模块。它是工程师在设计高效、紧凑型功率系统时，应对中压、大电流挑战的可靠选择。

• 型号:STB160N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB160N75F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括75V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达120A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术亮点在于极低的导通阻抗，在10V栅极驱动电压、60A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为4毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和宽工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ）使其兼具高效的开关性能与出色的可靠性，非常适合用于构建高效率的功率转换与控制系统。