STB16N90K5

STB16N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高电压、高效率应用提供卓越的开关性能与可靠性。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G），从而有效减少了导通损耗和开关损耗，提升了系统整体能效。

该MOSFET具备900V的高漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和尖峰，确保系统稳定运行。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）可达15A，并支持高达190W的功率耗散能力，展现了强大的电流处理与散热性能。其导通电阻在7.5A电流、10V栅极驱动电压下典型值仅为330毫欧，这一低导通特性对于降低功率路径上的传导损耗至关重要。同时，29.7nC（@10V）的低栅极总电荷与约1027pF的输入电容，使得开关转换过程更为迅速，有助于实现更高频率的开关操作，并降低驱动电路的设计复杂度与损耗。

器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械强度，便于自动化生产焊接。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，阈值电压V_GS(th)最大值为5V，并允许栅源电压在±30V范围内工作，这为驱动电路设计提供了充足的裕量和灵活性。宽广的结温工作范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品以及设计协助。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STB16N90K5非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、UPS（不间断电源）系统、电机驱动与变频器、电焊机以及照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和系统效率，是设计高性能、高可靠性功率电子设备的优选功率开关器件。

• 型号:STB16N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1027 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB16N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和25°C壳温下15A的连续漏极电流（Id），为高电压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的开关特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为330毫欧 @ 7.5A，同时栅极电荷（Qg）最大值低至29.7nC @ 10V。这种低导通电阻与低栅极电荷的结合，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率。器件支持-55°C至150°C的结温工作范围，并具备190W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。