STB18N55M5

STB18N55M5是ST意法半导体基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和制造工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时有效控制了寄生电容，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。

该MOSFET具备550V的高漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级AC-DC变换器、功率因数校正（PFC）电路等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值达16A，配合110W的最大功率耗散能力，确保了器件在持续高功率运行下的可靠性。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8A漏极电流条件下典型值仅为192毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，31nC的栅极总电荷（Q_g）与1260pF的输入电容（C_iss）处于优化水平，有助于降低栅极驱动电路的负担，实现更快的开关速度和更高的开关频率，从而减少磁性元件的体积和系统成本。

器件采用标准的表面贴装D2PAK（TO-263）封装，这种封装形式提供了良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产焊接。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（V_{GS）可承受±25V，增强了抗干扰能力。结温（TJ）最高可工作至150°C，拓宽了其在高温环境下的应用边界。对于需要获取该器件技术资料或采购支持的工程师，可以通过官方授权的ST代理商进行咨询。}

凭借其高耐压、低导通电阻和优化的开关特性，STB18N55M5非常适用于要求高效率和高功率密度的开关模式电源（SMPS）设计，特别是服务器电源、通信电源、工业电源以及照明用LED驱动电源中的功率级和PFC级。其稳健的性能也使其成为电机驱动、不间断电源（UPS）等系统中功率开关部分的可靠选择。

• 型号:STB18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB18N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心额定参数为550V漏源电压（V_DSS）和16A连续漏极电流（I_D），具备强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与良好开关性能的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至192毫欧（@8A），有助于提升系统效率。同时，31nC的栅极电荷（Q_g）和优化的电容特性，有利于实现快速的开关切换，适用于高频开关电源设计。最高150°C的结温（T_J）确保了其在严苛环境下的工作可靠性。