STB18N60DM2

STB18N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于第二代DM2超结技术，通过创新的电荷平衡机制，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了快速开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，能够从容应对工业级AC-DC电源及电机驱动中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达12A，提供了可观的电流处理能力。更关键的是，在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为295毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为20nC（@10V），结合800pF的输入电容，意味着所需的栅极驱动能量更小，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力和机械强度，其最大结温（Tj）为150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了应用的鲁棒性。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，提供了良好的噪声免疫能力。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持、样品及供货信息。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的优势，STB18N60DM2非常适用于对效率和可靠性有高要求的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）系统以及照明镇流器等。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STB18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB18N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心卖点在于其600V的高漏源击穿电压与极低的导通电阻（典型值295mΩ @ 10V, 6A）的卓越组合，这使其在导通期间的功率损耗显著降低。

器件在25°C壳温下可连续通过12A电流，并具备低至20nC的栅极电荷，这优化了开关性能，减少了开关损耗和驱动需求。其采用坚固的D2PAK表面贴装封装，最大结温达150°C，确保了在高功率密度应用中的稳定性和长寿命，是高效电源转换和电机控制应用的理想选择。