STB18NM60ND

STB18NM60ND是ST意法半导体基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过精细的单元几何结构和创新的工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性与雪崩耐量，为高效功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级应用中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达13A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、6.5A漏极电流条件下典型值仅为290毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，器件拥有较低的栅极电荷（Q_g），最大值仅为34nC @ 10V，结合1030pF的输入电容（C_iss），有助于简化驱动电路设计，并实现快速开关，减少开关过程中的能量损耗。

在接口与可靠性方面，STB18NM60ND采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达110W。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（V_GS）可承受±25V，提供了设计裕度和抗干扰能力。器件结温（T_J）最高可工作于150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的批量项目，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的重要途径。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STB18NM60ND非常适用于对效率和可靠性有较高要求的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、服务器电源和工业电源模块。它也是电机驱动、照明镇流器以及不间断电源（UPS）系统中功率开关部分的理想选择，能够有效提升整体系统的能效等级和功率密度。

• 型号:STB18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB18NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（V_DSS）和13A连续漏极电流（I_D），为高压应用提供了坚实的耐压和载流基础。

其技术优势主要体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至290毫欧，同时栅极电荷（Q_g）最大值仅为34nC。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其能够显著提升功率转换电路的效率。器件支持高达150°C的结温工作，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与长寿命。