STB190NF04T4

STB190NF04T4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心设计目标是在40V的中压应用领域，提供极低的传导损耗和快速的开关性能，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的低导通电阻，在10V栅极驱动电压、95A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为4.3毫欧。这一特性直接转化为更低的通态压降和功率损耗，尤其适用于大电流开关场景。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在130nC（@5V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低驱动电路的负担，实现更快的开关速度，从而减少开关过程中的过渡损耗。器件在25°C壳温下可支持高达120A的连续漏极电流，最大功率耗散为310W，展现了强大的电流处理与散热能力。

在电气参数方面，STB190NF04T4的漏源击穿电压（Vdss）为40V，栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±20V，提供了稳定的工作裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型D2PAK（TO-263）封装，这种封装具有较低的封装热阻和较大的散热焊盘面积，便于通过PCB铜箔进行高效散热，满足高功率密度应用的需求。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）也保证了其在严苛环境下的可靠性。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过ST授权代理进行采购咨询。

凭借其高性能参数，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流和功率转换模块，能够有效提升电源的转换效率。在工业自动化领域，它可用于电机驱动、逆变器以及各类大电流开关电路。此外，在汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）的负载开关等中压大电流场景，也能发挥其低损耗、高可靠性的优势。尽管该产品已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在特定存量或替代设计中仍具参考价值。

• 型号:STB190NF04T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 95A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB190NF04T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，专为要求高效率和高电流处理能力的应用而设计。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、95A Id条件下典型值仅为4.3mΩ，配合130nC的栅极电荷（Qg @ 5V），实现了传导损耗与开关损耗的优异平衡。该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为40V，在25°C壳温下可连续通过高达120A的电流，最大功率耗散为310W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛工况下的稳定运行。