STB200N4F3

STB200N4F3是ST意法半导体基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计通过精细的单元密度控制和沟槽结构优化，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的栅极控制特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，能够提供仅4毫欧的最大导通电阻（Rds(on)），这一特性在80A的大电流条件下测得，确保了在导通状态下的功率损耗被降至极低水平。其栅极电荷（Qg）典型值控制在75nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，从而提升系统整体能效。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的栅极噪声容限和驱动灵活性。

在电气参数方面，STB200N4F3具备40V的漏源击穿电压（Vdss），可可靠应用于常见的24V或36V总线系统。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下高达120A，峰值电流处理能力强劲。表面贴装型的D2PAK封装提供了优异的散热路径，结合高达300W（Tc）的功率耗散能力，使其能够应对高功率密度应用中的热管理挑战。工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要获取此型号进行设计验证或库存备货的工程师，可以通过官方授权的ST代理商渠道进行咨询。

凭借其高电流能力、低导通电阻和坚固的封装，这款器件非常适合用于要求高效率和高可靠性的功率管理场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑，以及各类工业电源中的负载开关和OR-ing功能。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统维护或特定设计延续中，它依然是一个经过验证的高性能选择。

• 型号:STB200N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB200N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、80A电流条件下典型值仅为4毫欧，配合120A（Tc）的连续漏极电流能力，能够显著降低导通损耗，提升系统效率。

其电气规格包括40V的漏源电压和±20V的栅源电压范围，提供了稳定的工作区间和驱动灵活性。75nC的栅极电荷（Qg @10V）有助于实现快速的开关切换，降低动态损耗。该器件设计用于高功率密度应用，其封装支持高效散热，功率耗散能力达300W（Tc），工作结温范围为-55°C至175°C，适用于对热管理和可靠性要求严苛的工业与通信环境。