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VN5T006ASPTR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
原厂封装:封装:10-PowerSO
优势价格,VN5T006ASPTR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VN5T006ASPTR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体VIPower系列的一员,VN5T006ASPTR-E是一款采用先进BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术制造的单通道高端智能功率开关。该芯片集成了一个垂直N沟道功率MOSFET及其驱动与保护电路,采用单片结构,实现了高集成度与高可靠性。其设计核心在于将逻辑控制、功率输出和全面的保护功能集成于单一的PowerSO-10封装内,无需外部VCC电源,简化了系统设计并节省了PCB空间。

该器件具备多项关键特性,使其在负载驱动应用中表现出色。其典型导通电阻仅为6毫欧,在8V至36V的宽负载电压范围内能有效降低导通损耗,提升系统效率。其接口采用简单的开/关非反相逻辑控制,易于与微控制器或逻辑电路连接。尤为重要的是,芯片内置了多重故障保护机制,包括固定值的限流保护、开路负载检测、过温关断以及过压钳位。这些保护功能在检测到异常工况时能自动动作,有效防止器件和负载因过流、短路或过热而损坏,显著增强了系统的鲁棒性和安全性。

在电气参数方面,VN5T006ASPTR-E专为直接驱动各类阻性、感性和容性负载而优化。其高端输出配置使得负载接地端保持简单,便于电流检测和故障诊断。器件工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。其表面贴装型10-PowerSO封装具有良好的热性能,有助于散热管理。用户可通过ST授权代理获取该产品的完整技术资料、样品及批量供应支持。

凭借其高可靠性、集成化保护和易于使用的特点,VN5T006ASPTR-E非常适用于汽车电子和工业控制领域。典型应用包括驱动继电器、电磁阀、灯泡、小型电机等执行器,以及作为电子保险丝用于配电系统中的智能电源管理。其稳健的设计使其能够满足汽车前装市场对质量与耐久性的高要求,同时也适用于工业自动化设备中需要可靠开关功能的场景。

  • 型号:VN5T006ASPTR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:10-PowerSO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:8V ~ 36V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):-
  • 导通电阻(典型值):6 毫欧
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:10-PowerSO
  • 封装/外壳:10-PowerSOIC(0.370\\
  • 想获取VN5T006ASPTR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VN5T006ASPTR-E是ST意法半导体推出的一款单通道高端智能功率开关,属于其VIPower产品系列。该器件集成了一个低至6毫欧典型导通电阻的N沟道功率MOSFET,工作于8V至36V的宽电压范围,并采用简单的开/关逻辑控制接口。

其核心优势在于高度集成和内置的全面保护功能。芯片无需外部VCC电源,并提供了包括固定限流、开路负载检测、过温保护和过压保护在内的多重故障保护机制,极大地简化了系统设计并提升了应用的可靠性。该器件采用PowerSO-10封装,工作结温范围为-40°C至150°C,主要面向汽车和工业领域中的负载驱动与电源分配应用。

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