STD55N4F5

STD55N4F5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为高功率密度和高效能应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过精密的沟槽栅极工艺，在紧凑的芯片面积内实现了极低的导通损耗，为开关电源和电机驱动等应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的关键电气特性使其在同类产品中表现突出。其漏源击穿电压（V_DSS）为40V，在壳温（T_C）条件下可支持高达55A的连续漏极电流。尤为重要的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，最大值仅为8.5毫欧（在27.5A条件下测试），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。低栅极电荷（Q_g，最大值25nC @ 10V）与适中的输入电容（C_iss）相结合，确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗，并简化了栅极驱动电路的设计。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，栅极可承受±20V的电压，增强了应用的可靠性。其最大功耗为60W（T_C），并且结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，使其能够适应严苛的环境条件。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能在过往及现有系统中仍有重要价值。对于需要此型号进行维护或升级的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道咨询库存或替代方案。

基于其优异的性能参数，STD55N4F5非常适用于需要高效率和高电流处理能力的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关元件、电机驱动控制电路（如电动工具、风扇控制器）、以及各类电源管理模块。其DPAK封装形式兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是工业控制、消费电子和汽车辅助系统等领域中功率开关设计的经典选择之一。

• 型号:STD55N4F5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD55N4F5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻与出色的电流处理能力。

其关键参数包括40V的漏源电压（V_DSS）以及在壳温条件下高达55A的连续漏极电流。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为8.5毫欧，配合最大25nC的低栅极电荷（Q_g），共同实现了高效率与快速开关性能的平衡。器件结温工作范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。