STF35N60DM2

STF35N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的卓越平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET的显著特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Id）承载能力，确保了其在严苛工况下的高可靠性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、14A电流条件下典型值仅为110毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，最大栅极电荷（Qg）被控制在54nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的电压尖峰和振荡，简化了外围驱动电路的设计难度。

在电气参数方面，该器件具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），并采用TO-220FP封装，这种封装在提供良好散热性能的同时，其全塑封结构也增强了电气绝缘性。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，为驱动设计提供了充足的裕量。较低的输入电容（Ciss）进一步降低了驱动级的功率需求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取正品器件及相关设计资源。

凭借其高性能指标，STF35N60DM2非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源的PFC（功率因数校正）及主开关拓扑。此外，它在电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机和照明镇流器等需要高效高压开关的工业与消费类电子领域也有着广泛的应用前景，是实现紧凑、高效能功率转换解决方案的关键元件。

• 型号:STF35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF35N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件设计用于高压、高频率开关应用，其核心优势在于优异的品质因数（FOM），即在600V漏源电压（Vdss）和28A连续漏极电流（Id）的规格下，实现了低至110毫欧的导通电阻（Rds(on)）与仅54nC的栅极电荷（Qg）的出色结合。

这种特性组合使得该MOSFET能够同时降低传导损耗和开关损耗，从而提升电源系统的整体效率与功率密度。其采用TO-220FP通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和长寿命，适用于要求严苛的工业级应用场景。