STPSC8TH13TI

STPSC8TH13TI是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用碳化硅（SiC）技术的肖特基二极管阵列。该器件采用TO-220-3通孔封装，其核心架构基于先进的宽带隙半导体材料碳化硅，构建了1对串联的二极管配置。与传统的硅基快恢复二极管相比，碳化硅材料带来了显著的本征性能优势，尤其是在高电压、高频率和高温度工作环境下，能够实现近乎理想的开关特性。

该器件的功能特点非常突出。首先，其具备650V的高反向耐压和每二极管8A的平均整流电流能力，为功率转换应用提供了坚实的保障。最关键的特性在于其零反向恢复时间（0 ns）和无恢复时间的开关行为。这意味着在开关过程中，器件从导通状态切换到关断状态时，几乎没有电荷存储效应，从而彻底消除了传统硅二极管存在的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗。这一特性对于提升系统效率、降低电磁干扰（EMI）以及简化缓冲电路设计至关重要。其正向压降在8A电流下典型值为1.75V，同时，在650V反向电压下的漏电流仅为80A，展现了优异的静态性能。

在接口与参数方面，STPSC8TH13TI设计为通孔安装的TO-220-3封装，便于在标准散热器上进行安装和热管理。其宽泛的工作结温范围（-40°C 至 175°C）确保了器件在恶劣环境下的高可靠性运行。这些参数共同指向了对高效率和高功率密度的追求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品和技术文档。

基于其卓越的性能，STPSC8TH13TI非常适合于要求高效率和高频开关的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）升压二极管、太阳能逆变器中的续流或升压二极管、不间断电源（UPS）、工业电机驱动以及电动汽车的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。在这些应用中，利用其零反向恢复特性，可以显著降低系统总损耗，提高开关频率，从而允许使用更小的磁性元件，最终实现电源系统在效率、功率密度和可靠性方面的全面提升。

• 型号:STPSC8TH13TI
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AB 绝缘
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 8A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对串行连接
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
• 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
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STPSC8TH13TI是意法半导体基于碳化硅技术制造的肖特基二极管阵列，采用TO-220-3封装。该器件核心优势在于其碳化硅肖特基结构带来的卓越开关性能，具备650V反向耐压和8A的平均整流电流能力。

其最显著的技术卖点是实现了零反向恢复时间（0 ns），彻底消除了开关过程中的反向恢复损耗和电流尖峰。配合1.75V @ 8A的低正向压降、高达175°C的结温工作能力以及极低的反向漏电流，该器件专为提升高频、高效率功率转换系统的性能而设计。