STB200NF04-1

ST意法半导体推出的STB200NF04-1是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率器件，隶属于其成熟的STripFET II产品系列。该器件采用通孔式I2PAK封装，专为高电流、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化单元密度和沟道设计，在确保高可靠性的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而提升了整体能效和开关速度。

在电气特性方面，该器件具备40V的漏源击穿电压（Vdss），为低压应用提供了充足的裕量。其最突出的性能指标在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和90A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为3.7毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗，使其在高达120A（壳温条件下）的连续工作电流下，仍能保持出色的热性能，最大功率耗散可达310W。栅极驱动方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，标准驱动电压为10V，栅极总电荷Qg典型值较低，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

该MOSFET的接口特性由其I2PAK封装定义，这是一种坚固的工业标准封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数依然体现了对高性能的追求，例如较低的输入电容（Ciss）和高达±20V的栅源电压耐受能力，增强了系统的鲁棒性。对于需要此类高性能器件的设计，用户可通过正规的ST授权代理渠道咨询库存或替代方案。

基于其高电流处理能力和低导通电阻，STB200NF04-1非常适合应用于对效率要求极高的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流、高功率电机驱动与控制系统（如电动工具、工业机器人）、以及各类大电流开关电源和功率分配单元。在这些场景中，其优异的电气参数有助于降低系统整体能耗，提升功率密度，并增强长期运行的可靠性。

• 型号:STB200NF04-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB200NF04-1是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、90A Id条件下，Rds(On)最大值仅为3.7mΩ，这使其能够高效处理高达120A的连续漏极电流，显著降低导通状态下的功率损耗。

该器件设计用于严苛的功率管理环境，漏源电压额定值为40V，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，最大功率耗散为310W。其较低的栅极电荷和优化的动态特性，有助于实现快速的开关切换，适用于要求高效率和高可靠性的同步整流及大电流开关电路。