STP16NS25

STP16NS25是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件基于先进的MESH OVERLAY工艺技术构建，这一架构通过优化单元密度和布局，在击穿电压、导通电阻和栅极电荷之间实现了出色的平衡。其核心设计旨在高效处理中等功率级别的开关与线性应用，为工程师在电源转换和电机控制等设计中提供了一个可靠的高性能开关解决方案。

该MOSFET具备250V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下16A的连续漏极电流能力，展现出良好的电压阻断与电流承载特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、8A漏极电流条件下典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，器件拥有优化的动态参数，其栅极总电荷（Qg）与输入电容（Ciss）的数值经过精心设计，有助于减少开关过程中的损耗并简化栅极驱动电路的设计，从而提升系统在高频开关应用中的表现。

在接口与参数方面，STP16NS25的标准TO-220AB封装提供了优异的导热路径，配合高达140W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在持续高负载运行下的热可靠性。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V的电压，为驱动电路设计提供了灵活性。工作结温范围覆盖-65°C至150°C，使其能够适应苛刻的工业环境温度波动。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关技术资料与库存信息。

这款MOSFET典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、直流-直流转换器以及电机驱动和逆变器中的桥式开关。其均衡的静态与动态参数组合，使其特别适用于对效率、热管理和成本均有要求的离线式电源、工业控制和家用电器中的电机控制模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过市场验证的性能，使其在诸多现有设备和备件替换市场中仍具有重要参考价值。

• 型号:STP16NS25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP16NS25是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于结合了250V的高漏源电压与16A的连续电流处理能力，基于MESH OVERLAY技术实现了低导通电阻与良好开关特性的平衡。

该器件在10V栅极驱动下具备优化的动态性能，有助于降低开关损耗，提升系统效率。其坚固的封装支持高达140W的功率耗散，工作结温范围达-65°C至150°C，确保了在工业级应用中的可靠性与热稳定性。