STB200NF04L-1

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一员，STB200NF04L-1是一款采用N沟道增强型平面栅极技术的功率MOSFET。其核心架构基于先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，这种封装形式提供了优良的机械强度和散热能力，确保在高功率应用中能够稳定可靠地工作。

该器件的显著特性在于其卓越的电流处理能力与低损耗表现。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达120A，而导通电阻在10V栅极驱动、50A漏极电流时典型值仅为3.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷Qg最大值控制在90nC（@4.5V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压最大耐受值为±16V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，40V的漏源击穿电压使其非常适合用于低压大电流的DC-DC转换器、电机驱动和电源管理电路中的同步整流或开关元件。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声免疫性。该器件支持宽泛的工作结温范围，从-55°C到175°C，适应严苛的环境要求。对于需要此类高性能分立器件的设计，可以通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中需评估替代方案或库存可用性。

基于其参数特性，STB200NF04L-1主要面向对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常被部署在服务器和通信设备的高效率DC-DC降压转换器中，作为主开关或同步整流管。在工业自动化领域，它可用于有刷或无刷直流电机的驱动控制、电磁阀驱动等大电流开关电路。此外，在汽车电子系统中，如电动座椅调节、风扇控制等辅助负载驱动，也能发挥其大电流、低导通电阻的优势。

• 型号:STB200NF04L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB200NF04L-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其120A的高连续电流能力与极低的3.8毫欧导通电阻（@10V Vgs, 50A Id），这使其在导通期间的功率损耗显著降低，从而提升整体系统效率。

其电气参数针对低压大电流开关应用进行了优化，具备40V的漏源电压额定值。器件支持高达±16V的栅源电压，并具有较低的栅极电荷，有利于实现快速的开关速度。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高频DC-DC转换等应用的理想选择，能够在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作。