STB23N80K5

STB23N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺改进，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G）。这种架构的核心优势在于实现了更低的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了基础。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（V_{DSS），确保了在高压应用中的可靠性与安全裕度。在25°C壳温（TC）下，其连续漏极电流（ID）额定值为16A，最大功率耗散达190W，展现了强大的电流处理与散热能力。其导通电阻在10V栅源驱动电压（VGS）和8A漏极电流条件下，典型值仅为280毫欧，这一低RDS(on)特性直接转化为更低的通态损耗。同时，在10V VGS下，栅极总电荷（QG）最大值仅为33nC，结合1000pF（@100V VDS）的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度和更高的工作频率，从而有效降低开关损耗。}

器件采用坚固的表面贴装D2PAK封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于自动化生产并适应高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽，标准驱动电平为10V，最大可承受±30V的栅源电压，增强了应用的灵活性。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取此产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STB23N80K5非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、LLC谐振转换器以及反激式变换器。它也是工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机和照明镇流器等高压功率控制应用的理想选择，能够帮助系统设计者在提升能效和功率密度的同时，优化整体系统成本。

• 型号:STB23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB23N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心规格包括800V的漏源电压（V_DSS）和16A（T_C=25°C）的连续漏极电流额定值，专为高压、大电流应用场景设计。

其技术亮点在于实现了优异的效率平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至280毫欧（@8A），有效降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_G典型值33nC @10V）和输入电容有助于最小化开关损耗，支持更高频率的开关操作。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及工业电源系统效率与功率密度的关键元件。