STB24NM65N

STB24NM65N是ST意法半导体基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一硅片上实现了超结（Super-Junction）特性，通过优化电荷平衡，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM）。这一核心架构使其在高压开关应用中能够兼顾高效率与低开关损耗，为电源拓扑结构提供了高性能的开关解决方案。

得益于MDmesh II技术，该MOSFET具备多项突出的功能特点。其额定漏源电压（Vdss）高达650V，确保了在工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠阻断能力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达19A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、9.5A电流条件下典型值仅为190毫欧，这一低导通损耗特性直接提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在70nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于简化栅极驱动设计，实现快速开关并减少驱动电路的功率损耗。

在接口与关键参数方面，STB24NM65N采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功率耗散为160W，结温（TJ）最高可至150°C，保证了在恶劣热环境下的稳定运行。其栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，提供了宽裕的驱动安全余量。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与采购支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

该器件典型应用于需要高效能、高电压处理的开关电源领域。其非常适合作为硬开关和准谐振反激式、正激式开关电源中的主开关管，也广泛应用于服务器电源、工业电源、照明驱动（如LED驱动）以及电焊机等设备的功率级设计中。其优异的性能平衡使其能够在提升电源功率密度的同时，有效控制电磁干扰（EMI）和温升，满足现代电子设备对高效率、高可靠性的严苛要求。

• 型号:STB24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB24NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的超结技术，在650V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id）规格下，实现了低至190毫欧（典型值）的导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗。

其设计同时优化了动态特性，最大栅极电荷（Qg）仅为70nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大结温达150°C，功率处理能力出色，适用于要求高可靠性和高效率的高压开关电源应用场景。