STB25NM60N-1

STB25NM60N-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直型DMOS结构，其核心在于优化了单元密度与电荷平衡，旨在实现高阻断电压与低导通电阻之间的出色平衡。这种架构通过精心设计的超结（Super-Junction）原理，在硅片内部形成了交替的P型和N型柱区，从而在关断时能够有效耗尽电荷，显著提升电压耐受能力，同时保持导通状态下较低的电阻特性。

得益于MDmesh II技术，该MOSFET在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，展现出卓越的开关性能与导通效率。其关键特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、10.5A漏极电流条件下典型值仅为160毫欧，这直接降低了导通损耗，提升了系统整体能效。同时，器件具有优化的栅极电荷（Qg，最大值84nC @ 10V）与输入电容（Ciss），这有助于减少开关过程中的驱动损耗和开关时间，使得它在高频开关应用中仍能保持较高的效率与可靠性。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，该器件在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）额定值为21A，最大功率耗散为160W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ）工作能力，确保了其在严苛热环境下的稳定运行。其采用通孔安装的I2PAK封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于在功率板上进行可靠的焊接与热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取相关技术资料与库存信息。

这款MOSFET主要面向需要高效、高可靠性的中高功率开关应用场景。其600V的耐压和21A的电流能力，使其非常适用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路、硬开关和软开关拓扑的DC-DC转换器、工业电机驱动、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等领域。在这些应用中，其低Rds(on)和高开关速度的特性有助于提升电源密度和整体效率，而坚固的封装和宽温度范围则满足了工业级产品对长期可靠性的要求。

• 型号:STB25NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB25NM60N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与21A连续漏极电流（Id），专为中高功率开关应用设计。

其技术优势体现在采用第二代MDmesh技术，实现了低至160毫欧（@10.5A, 10V）的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值84nC）和输入电容特性，确保了快速高效的开关性能。器件支持高达150°C的结温工作，最大功率耗散为160W，具备出色的热管理和可靠性。