STB26N60M2

作为ST意法半导体MDmesh M2系列中的一员，STB26N60M2是一款采用先进平面工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。该器件采用了ST专有的MDmesh M2技术，这项技术通过在硅片内部集成一个独特的电荷平衡结构，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的动态特性，这对于提升系统效率至关重要。

在功能特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能组合。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换及电机驱动中常见的高压应力环境。在25°C壳温条件下，器件可连续通过高达20A的漏极电流，具备强大的电流处理能力。尤为突出的是其低导通电阻，在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为165毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为34nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，简化栅极驱动电路设计，并提升开关频率，为设计紧凑、高效的电源方案提供了可能。

该器件的接口与电气参数设计兼顾了鲁棒性与易用性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值适中，确保了良好的噪声免疫能力和可靠的导通控制。最大栅源电压（Vgs）为±25V，为驱动电路提供了安全的裕量。表面贴装型的D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，其169W（Tc）的最大功率耗散能力也确保了器件在高功率应用中的可靠性。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理进行采购，以确保获得原装正品和相应的设计支持。

基于其高耐压、大电流、低损耗的特性组合，STB26N60M2非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备中的功率开关部分。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，减少散热需求，并有助于实现更小的系统尺寸和更长的使用寿命。

• 型号:STB26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB26N60M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB26N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh M2技术制造，封装为表面贴装型D2PAK。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的低损耗特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为165毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至34nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，显著降低了功率转换过程中的传导损耗和开关损耗，有助于实现更高的系统效率和功率密度。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。